Infineon , 2 P型, N型沟道 半桥和全桥 (2X) 配置 双线型 MOSFET, Vds=40 V, 115 A, PG HSOF-7, 7引脚, BTN99x0LV系列
- RS 库存编号:
- 249-3346
- 制造商零件编号:
- BTN9990LVAUMA1
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 249-3346
- 制造商零件编号:
- BTN9990LVAUMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型, N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 115A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | PG HSOF-7 | |
| 系列 | BTN99x0LV | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9.6mΩ | |
| 通道模式 | 双线 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -40°C | |
| 晶体管配置 | 半桥和全桥 (2X) 配置 | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | AEC-Q100/Q006 (Grade 1) | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | AEC-Q006, AEC-Q100 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型, N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 115A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 PG HSOF-7 | ||
系列 BTN99x0LV | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 9.6mΩ | ||
通道模式 双线 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -40°C | ||
晶体管配置 半桥和全桥 (2X) 配置 | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 AEC-Q100/Q006 (Grade 1) | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 AEC-Q006, AEC-Q100 | ||
Infineon BTN99x0LV 是 NovalithIC 系列的一部分，包含一个 p 沟道高压侧 MOSFET 和一个 n 沟道低压侧 MOSFET，并在一个封装中集成了驱动 IC。由于采用了 p 沟道高压侧开关，因此不需要充电泵，从而最大限度地减少了 EMI。BTN99x0LV 为受保护的高电流 PWM 电动机驱动提供成本优化解决方案，其板卡空间消耗非常低。BTN99x0LV 设备采用小型 PG-HSOF-7-1 封装。它可用于汽车 12 V 刷式直流电动机、安全带预紧器、座位控制、燃料泵、电动升降门、滑动门和 HVAC 控制模块等应用。
易于使用和快速设计的驱动器、MOSFETs、负载电流感应以及诊断和保护功能
集成了高功率 PMOS、NMOS 和驱动器 IC，可最大程度减少设计和制造工作
成本和 PCB 区域优化
由于集成诊断、电流感应和保护功能，系统可靠性更高
由于支持半桥和全桥（2x）配置，灵活性更高