Infineon , 2 P型, N型沟道 半桥和全桥 (2X) 配置 双线型 MOSFET, Vds=40 V, 115 A, PG HSOF-7, 7引脚, BTN99x0LV系列, BTN9990LVAUMA1

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制造商零件编号:
BTN9990LVAUMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型, N型

最大连续漏极电流 Id

115A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

BTN99x0LV

包装类型

PG HSOF-7

引脚数目

7

最大漏源电阻 Rd

9.6mΩ

通道模式

双线

最低工作温度

-40°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

晶体管配置

半桥和全桥 (2X) 配置

最高工作温度

150°C

标准/认证

AEC-Q100/Q006 (Grade 1)

每片芯片元件数目

2

汽车标准

AEC-Q006, AEC-Q100

Infineon BTN99x0LV 是 NovalithIC 系列的一部分,包含一个 p 沟道高压侧 MOSFET 和一个 n 沟道低压侧 MOSFET,并在一个封装中集成了驱动 IC。由于采用了 p 沟道高压侧开关,因此不需要充电泵,从而最大限度地减少了 EMI。BTN99x0LV 为受保护的高电流 PWM 电动机驱动提供成本优化解决方案,其板卡空间消耗非常低。BTN99x0LV 设备采用小型 PG-HSOF-7-1 封装。它可用于汽车 12 V 刷式直流电动机、安全带预紧器、座位控制、燃料泵、电动升降门、滑动门和 HVAC 控制模块等应用。

易于使用和快速设计的驱动器、MOSFETs、负载电流感应以及诊断和保护功能

集成了高功率 PMOS、NMOS 和驱动器 IC,可最大程度减少设计和制造工作

成本和 PCB 区域优化

由于集成诊断、电流感应和保护功能,系统可靠性更高

由于支持半桥和全桥(2x)配置,灵活性更高