制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=174 A, 8针, HSOF-8, IPT系列

RS 库存编号:: 249-3350
制造商零件编号:: IPT044N15N5ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=174 A, 8针, HSOF-8, IPT系列

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RS 库存编号:: 249-3350
制造商零件编号:: IPT044N15N5ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	174A
	最大漏源电压 Vd	150V
	包装类型	HSOF-8
	系列	IPT
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	3mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	1.3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	80nC
	最大功耗 Pd	81W
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 174A
	最大漏源电压 Vd 150V
	包装类型 HSOF-8
	系列 IPT
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 3mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf 1.3V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC
	最大功耗 Pd 81W
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPT044N15N5ATMA1

Infineon Optimos 5 功率 MOSFET 是 N 沟道 MOSFET，具有非常低的导通电阻和卓越的热阻。此设备不含 Pb（铅）和卤素。它采用表面安装、PG-HSOF-8 封装。

Vds（漏极至源极电压）为 150 V

Rds（最大接通）为 4.4 毫欧姆，ID 为 174 A

Qdss 和 Qg 值分别为 188 nC 和 67 nC

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