Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=75 V, 80 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD系列

N
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RS 库存编号:
249-6910
制造商零件编号:
IPD90N03S4L03ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

80A

最大漏源电压 Vd

75V

包装类型

TO-252

系列

IPD

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

1.7mΩ

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.3V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

80nC

最大功耗 Pd

81W

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon OptiMOS 是用于汽车应用的功率 MOSFET。工作沟道为 N。符合 AEC Q101 标准。MSL1 峰值回焊温度达 260 °C。绿色产品（符合 RoHS），100% 雪崩测试。

工作温度 175 ℃

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