ROHM N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 60 A, HSOP-8S, RS6R060BHTB1, RS6R060BH系列
- RS 库存编号:
- 252-3159
- 制造商零件编号:
- RS6R060BHTB1
- 制造商:
- ROHM
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥117.22
(不含税)
¥132.46
(含税)
有库存
- 另外 100 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | RMB23.444 | RMB117.22 |
| 50 - 95 | RMB20.11 | RMB100.55 |
| 100 - 245 | RMB18.824 | RMB94.12 |
| 250 - 995 | RMB18.446 | RMB92.23 |
| 1000 + | RMB18.066 | RMB90.33 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 252-3159
- 制造商零件编号:
- RS6R060BHTB1
- 制造商:
- ROHM
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | ROHM | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 60A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | RS6R060BH | |
| 包装类型 | HSOP-8S | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.7mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 46nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 104W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 ROHM | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 60A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 RS6R060BH | ||
包装类型 HSOP-8S | ||
最大漏源电阻 Rd 2.7mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 46nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 104W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Rohms RS 系列功率 Mosfet 具备低接通电阻，适合用于开关。它无卤，并通过了 100% Rg 和 UIS 测试，输入电压为 150 V。
工作接点和存储温度范围为 -55°C 至 +150°C
安装在 cu 板上
漏电流为 60 A
功耗为 104 W