制造商编号

ROHM N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=60 A, HSOP, RS6P060BH系列

RS 库存编号:: 260-6164
制造商零件编号:: RS6P060BHTB1
制造商:: ROHM

ROHM N沟道MOSFET, Vds=100 V, Id=60 A, HSOP, RS6P060BH系列

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单位	每单位	每包*
5 - 45	RMB21.49	RMB107.45
50 - 95	RMB20.844	RMB104.22
100 - 245	RMB19.594	RMB97.97
250 - 995	RMB17.832	RMB89.16
1000 +	RMB15.692	RMB78.46

* 参考价格

RS 库存编号:: 260-6164
制造商零件编号:: RS6P060BHTB1
制造商:: ROHM

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	60A
	最大漏源电压 Vd	100V
	包装类型	HSOP
	系列	RS6P060BH
	安装类型	表面
	最大漏源电阻 Rd	10.6mΩ
	通道模式	N
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	25nC
	最大功耗 Pd	73W
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 ROHM
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 60A
	最大漏源电压 Vd 100V
	包装类型 HSOP
	系列 RS6P060BH
	安装类型表面
	最大漏源电阻 Rd 10.6mΩ
	通道模式 N
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 25nC
	最大功耗 Pd 73W
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - RS6P060BHTB1

ROHM N 通道功率 MOSFET 具有低接通电阻,最大功耗为 73 W。它采用高功率封装 HSOP8,用于切换应用。

无卤素

符合 ROHS 标准

无铅镀层

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