Vishay N型沟道 功率 MOSFET, Vds=1000 V, 3.1 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚, IRFPG30PBF, IRFPG30系列
- RS 库存编号:
- 256-7300
- 制造商零件编号:
- IRFPG30PBF
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 25 - 75 | RMB13.816 | RMB345.40 |
| 100 - 475 | RMB13.125 | RMB328.13 |
| 500 - 975 | RMB12.468 | RMB311.70 |
| 1000 + | RMB11.845 | RMB296.13 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 256-7300
- 制造商零件编号:
- IRFPG30PBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 3.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 1000V | |
| 包装类型 | TO-247AC | |
| 系列 | IRFPG30 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5Ω | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 80nC | |
| 最大功耗 Pd | 125W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.8V | |
| 最高工作温度 | +150°C | |
| 高度 | 5.21mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 3.1A | ||
最大漏源电压 Vd 1000V | ||
包装类型 TO-247AC | ||
系列 IRFPG30 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 5Ω | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 80nC | ||
最大功耗 Pd 125W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.8V | ||
最高工作温度 +150°C | ||
高度 5.21mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay IRFPG30系列功率MOSFET,1000 V最大漏源电压,3.1 A最大连续漏电流 - IRFPG30PBF
这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道开关晶体管,专为工业和电力转换环境中的通孔安装而设计。它可应对严苛的热环境,适用于需要大量电压耐久性和中等连续电流的电路,在这些电路中,通孔 TO-247AC 封装和强大的功耗非常有利。
特性和优点:
• 1000 V 最大排放源电压可实现高电压开关应用 • 125W 功耗可在负载下实现持久的功率处理 • 3. 1 A 连续排放电流支持中等电流输送 • 5Ω 最大导通电阻可在低栅极驱动时最大限度减少传导损耗 • 80nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为 • 温度范围为±150°C/-55°C,可支持宽泛的运行环境
应用
• 适用于高压工业逆变器级 • 适用于需要通孔安装的开关模式电源 • 用于具有高电压余地的电机驱动保护电路 • 可用于大学和车间的电源电路原型设计 • 与高压开关组件中的栅极驱动器配合使用
应考虑哪些栅极驱动因素?
在额定栅极电压下,预期典型栅极电荷为 80nC,因此选择一款能够提供和吸收足够电流以满足所需的开关速度并控制开关损耗的驱动器。
这款设备应如何进行热管理?
该设备可耗散高达 125W
使用合适的散热器并确保从 TO-247AC 封装的热路径完整性,以在连续操作过程中保持接点温度在限值范围内。
该设备的环境操作限制是什么?
它的额定工作温度范围低至-55°C和高达+150°C,可在工业环境中广泛使用。
它使用哪种机械安装和连接形式?
它采用通孔 TO-247AC 封装,带三个引脚,适用于螺栓式散热器连接和可靠的焊接板连接。
