Vishay N沟道MOSFET, Vds=150 V, Id=2.2 A, PowerPAK 1212-8
- RS 库存编号:
- 256-7393
- 制造商零件编号:
- SI7818DN-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
暂时无法供应
我们不知道此物品是否会再来货，RS 不再对该产品备货。
- RS 库存编号:
- 256-7393
- 制造商零件编号:
- SI7818DN-T1-E3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.2A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.024Ω | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 2.2A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.024Ω | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay Semiconductor N 通道 150 V (D-S) mosfet 2.2A (Ta) 1.5W (Ta) 表面安装,其应用为初级侧面开关电路。
PWM 优化 TrenchFET 功率 Mosfet
100% Rg 测试
雪崩测试
相关链接
- Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 8 A, PowerPAK 1212-8, 表面安装, 8引脚, SI7309DN-T1-E3, Si7309DN系列
- Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 45.1 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, SIS126DN-T1-GE3, SiS126DN系列
- Vishay P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 9.6 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, SI7121DN-T1-GE3, Si7121DN系列
- Vishay Siliconix N沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 14.2 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, SiS110DN-T1-GE3, SiS110DN系列
- Vishay N沟道 耗尽型 MOSFET, Vds=60 V, 35.7 A, PowerPAK 1212-8, 表面安装, 8引脚, SIS4608DN-T1-GE3, SiS4608DN系列
- Vishay , 1 P型, P型沟道 单 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 35 A, PowerPAK 1212-8, 表面安装, 8引脚, Si7129DN系列, SI7129DN-T1-GE3
- Vishay N沟道 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 198 A, PowerPAK 1212, 表面安装, 8引脚, SiSD5300DN, SiS系列
- Vishay N沟道 MOSFET, Vds=60 V, 8.7 A, PowerPAK 1212-8, 表面安装, 8引脚, SI7414DN-T1-E3