制造商编号

Vishay N沟道MOSFET, Vds=30 V, Id=15 A, SO-8

RS 库存编号:: 256-7441
制造商零件编号:: SQ4410EY-T1_GE3
制造商:: Vishay

Vishay N沟道MOSFET, Vds=30 V, Id=15 A, SO-8

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单位	每单位	每包*
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50 - 95	RMB14.454	RMB72.27
100 - 245	RMB13.728	RMB68.64
250 - 995	RMB13.048	RMB65.24
1000 +	RMB12.39	RMB61.95

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RS 库存编号:: 256-7441
制造商零件编号:: SQ4410EY-T1_GE3
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	15A
	最大漏源电压 Vd	30V
	包装类型	SO-8
	安装类型	表面
	最大漏源电阻 Rd	0.0149Ω
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	No
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 15A
	最大漏源电压 Vd 30V
	包装类型 SO-8
	安装类型表面
	最大漏源电阻 Rd 0.0149Ω
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 No
	汽车标准否

Datasheet - SQ4410EY-T1_GE3

Vishay Semiconductor 汽车 N 通道 30 V (D-S) 175 °C mosfet 15A (Tc) 5W (Tc) 具有表面安装,带 8-SOIC 封装类型。

TrenchFET 功率 Mosfet

AEC-Q101 认证

100% Rg 和 UIS 测试

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