Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=100 V, 130 A, TO-220, 表面安装, IRFS4310TRLPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-5795
- 制造商零件编号:
- IRFS4310TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB28.795 | RMB57.59 |
| 10 - 48 | RMB25.885 | RMB51.77 |
| 50 - 98 | RMB25.38 | RMB50.76 |
| 100 - 248 | RMB21.865 | RMB43.73 |
| 250 + | RMB21.505 | RMB43.01 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-5795
- 制造商零件编号:
- IRFS4310TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 130A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 170nC | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 330W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 130A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 7mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 170nC | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 330W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon MOSFET 具有改进的门、雪崩和动态 dV/dt 坚固性以及完全特性化的电容和雪崩 SOA。
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