Infineon N沟道MOSFET, Vds=20 V, Id=40 A, PQFN, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-5802
- 制造商零件编号:
- IRLHM620TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 50 - 95 | RMB10.814 | RMB54.07 |
| 100 - 495 | RMB10.276 | RMB51.38 |
| 500 - 1995 | RMB9.554 | RMB47.77 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-5802
- 制造商零件编号:
- IRLHM620TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 2.5mΩ | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 37W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 PQFN | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 2.5mΩ | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 37W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon strongIRFET 功率 MOSFET 系列经优化用于低 RDS 和高电流能力。此款器件是对性能和耐用性有着高要求的低频应用的理想之选。全方位面的产品组合，应用广泛，包括直流电机、电池管理系统、变频器和直流对直流转换器。
经过优化，可从分销合作伙伴那里获得最广泛的产品供应
产品符合 JEDEC 标准
工业标准表面贴装
高 RDS(on) SuperSO8 封装的潜在替代品
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