Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=40 V, 362 A, TO-263, 7引脚, IRFS7434TRL7PP, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-5815
- 制造商零件编号:
- IRFS7434TRL7PP
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 10 - 48 | RMB20.67 | RMB41.34 |
| 50 - 98 | RMB20.26 | RMB40.52 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-5815
- 制造商零件编号:
- IRFS7434TRL7PP
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 362A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.7mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 210nC | |
| 最大功耗 Pd | 245W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 362A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 HEXFET | ||
引脚数目 7 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.7mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 210nC | ||
最大功耗 Pd 245W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon MOSFET 具有改进的门、雪崩和动态 dV/dt 坚固性以及完全特性化的电容和雪崩 SOA。
完全特性化的电容和雪崩 SOA
增强型主体二极管 dV/dt 和 dI/dt
无铅，符合 RoHS 标准