制造商编号

Infineon N沟道MOSFET, Vds=20 V, Id=49 A, PQFN, HEXFET系列

RS 库存编号:: 257-9377
制造商零件编号:: IRFH6200TRPBF
制造商:: Infineon

Infineon N沟道MOSFET, Vds=20 V, Id=49 A, PQFN, HEXFET系列

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单位	每单位	每包*
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50 - 95	RMB17.024	RMB85.12
100 - 495	RMB16.176	RMB80.88
500 - 1995	RMB15.042	RMB75.21
2000 +	RMB13.686	RMB68.43

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RS 库存编号:: 257-9377
制造商零件编号:: IRFH6200TRPBF
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	49A
	最大漏源电压 Vd	20V
	包装类型	PQFN
	系列	HEXFET
	安装类型	表面
	最大漏源电阻 Rd	15mΩ
	最大功耗 Pd	250W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	155nC
	最大栅源电压 Vgs	12V
	正向电压 Vf	-1.2V
	最低工作温度	-55°C
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 49A
	最大漏源电压 Vd 20V
	包装类型 PQFN
	系列 HEXFET
	安装类型表面
	最大漏源电阻 Rd 15mΩ
	最大功耗 Pd 250W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 155nC
	最大栅源电压 Vgs 12V
	正向电压 Vf -1.2V
	最低工作温度 -55°C
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - IRFH6200TRPBF

Infineon IRFH 系列是 20V 单 n 通道强大的 IRFET 功率 Mosfet,采用 PQFN 5x6 封装。强大的 IRFET 功率 Mosfet 系列经优化用于低 RDS(接通)和高电流能力。该器件特别适用于需要性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合涵盖广泛的应用,包括直流电动机、电池管理系统、变频器和直流-直流转换器。

工业标准表面安装电源封装

产品符合 JEDEC 标准

硅优化用于低于 100 kHz 的切换应用

与之前的硅一代相比,主体二极管更柔软

提供广泛的产品组合

Infineon N沟道MOSFET, Vds=20 V, Id=49 A, PQFN, HEXFET系列

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