Infineon N沟道MOSFET, Vds=20 V, Id=3.4 A, PQFN, HEXFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
257-5826
制造商零件编号:
IRLHS6276TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

3.4A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

HEXFET

包装类型

PQFN

安装类型

表面

最大漏源电阻 Rd

65mΩ

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

1.2V

最大功耗 Pd

9.6W

最大栅源电压 Vgs

12V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

3.1nC

最高工作温度

150°C

宽度

2mm

标准/认证

RoHS Compliant

汽车标准

否

Infineon strongIRFET 功率 MOSFET 系列经优化用于低 RDS 和高电流能力。此款器件是对性能和耐用性有着高要求的低频应用的理想之选。全方位面的产品组合，应用广泛，包括直流电机、电池管理系统、变频器和直流对直流转换器。

经优化后可从分销合作伙伴处获得最广泛的产品供应

产品符合 JEDEC 标准

电源封装采用工业标准表面贴装

低 RDS(on) 小型封装

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