Infineon N沟道MOSFET, Vds=-12 V, Id=-7.4 A, 8针, SO-8, HEXFET系列

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包装方式:
RS 库存编号:
257-9308
制造商零件编号:
IRF7329TRPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

-7.4A

最大漏源电压 Vd

-12V

包装类型

SO-8

系列

HEXFET

安装类型

通孔

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

199mΩ

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

8.1nC

最大功耗 Pd

2W

正向电压 Vf

-1.2V

最大栅源电压 Vgs

8V

最高工作温度

150°C

宽度

4mm

长度

5mm

标准/认证

RoHS Compliant

高度

1.75mm

汽车标准

否

Infineon IRF 系列是 -12V 双 p 通道 HEXFET 电源 mosfet,采用 SO 8 封装。

符合 RoHS 标准

低 RDS(接通)

双 p 通道 mosfet

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