Infineon N沟道MOS管, Vds=55 V, 89 A, DPAK, 通孔安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 257-9459
- 制造商零件编号:
- IRLR3705ZTRPBF
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 2000 件）*
¥9,130.00
(不含税)
¥10,316.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年3月10日 发货
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2000 + | RMB4.565 | RMB9,130.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 257-9459
- 制造商零件编号:
- IRLR3705ZTRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 89 A | |
| 最大漏源电压 | 55 V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 封装类型 | DPAK | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 89 A | ||
最大漏源电压 55 V | ||
系列 HEXFET | ||
封装类型 DPAK | ||
安装类型 通孔 | ||
Infineon IRLR 系列是 55V 单 n 通道 HEXFET 功率 Mosfet,采用 D-Pak 封装。
逻辑电平
先进的过程技术
超低接通电阻
工作温度 175°C
快速切换
重复雪崩允许高达 Tj 最大值
无铅
先进的过程技术
超低接通电阻
工作温度 175°C
快速切换
重复雪崩允许高达 Tj 最大值
无铅