Infineon N沟道MOSFET, Vds=40 V, Id=100 A, TO-252, HEXFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
258-0633
制造商零件编号:
AUIRFR8403TRL
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

40V

包装类型

TO-252

系列

HEXFET

安装类型

表面

最大漏源电阻 Rd

3.1mΩ

最低工作温度

-55°C

正向电压 Vf

0.9V

最大功耗 Pd

99W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

66nC

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon 专门设计用于汽车应用,此 HEXFET 功率 MOSFET 利用最新的处理技术,以实现每硅区域极低的接通电阻。此设计的其他功能包括 175°C 接点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能结合在一起,使此设计成为一种非常高效可靠的设备,适用于汽车应用和其他各种应用。

先进的过程技术

新型超低接通电阻

175°C 工作温度

快速切换

重复雪崩,允许高达 Tjmax

无铅,符合 RoHS 标准

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