Infineon P型沟道 MOSFET, Vds=55 V, 31 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, AUIRFR5305TRL, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 223-8457
- 制造商零件编号:
- AUIRFR5305TRL
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 223-8457
- 制造商零件编号:
- AUIRFR5305TRL
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 31A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 65mΩ | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 63nC | |
| 最大功耗 Pd | 110W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | -1.3V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 31A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 65mΩ | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 63nC | ||
最大功耗 Pd 110W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf -1.3V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon 汽车认证单 P 通道 HEXFET 功率 MOSFET ，采用 D2-Pak 封装。功率 MOSFET 的蜂窝设计利用最新的处理技术实现每个硅区域的低接通电阻。由于快速切换速度和耐震设备，它可用于汽车和各种应用。
Advanced 平面技术
动态 DV/dT 额定值
175°C 工作温度
快速切换
无导线
符合 RoHS