Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=80 V, 40 A, TSDSON, 表面安装, 8引脚, BSZ084N08NS5ATMA1, BSZ系列
- RS 库存编号:
- 258-0717
- 制造商零件编号:
- BSZ084N08NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥22.43
(不含税)
¥25.346
(含税)
库存信息目前无法访问 - 请稍候查看
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB11.215 | RMB22.43 |
| 10 - 98 | RMB10.88 | RMB21.76 |
| 100 - 248 | RMB10.34 | RMB20.68 |
| 250 - 498 | RMB9.61 | RMB19.22 |
| 500 + | RMB8.75 | RMB17.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0717
- 制造商零件编号:
- BSZ084N08NS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 包装类型 | TSDSON | |
| 系列 | BSZ | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 8.4mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 20nC | |
| 最大功耗 Pd | 63W | |
| 正向电压 Vf | 0.86V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS, IEC 61249-2-21 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
包装类型 TSDSON | ||
系列 BSZ | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 8.4mΩ | ||
通道模式 N | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 20nC | ||
最大功耗 Pd 63W | ||
正向电压 Vf 0.86V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS, IEC 61249-2-21 | ||
汽车标准 否 | ||
与前几代相比,Infineon OptiMOS 5 80V 工业功率 MOSFET 提供 43% 的 RDS(on) 降低,特别适用于高切换频率。此系列的设备专门设计用于电信和服务器电源中的同步整流。此外,它们还可用于其他工业应用,如太阳能、低电压驱动器和适配器。
最高系统效率
减少切换和导电损耗
需要较少的并行
增强的功率密度