Infineon N沟道MOS管, Vds=60 V, 104 A, TSDSON, 贴片安装
- RS 库存编号:
- 258-0712
- 制造商零件编号:
- BSZ037N06LS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 8 | RMB16.22 | RMB32.44 |
| 10 - 98 | RMB15.735 | RMB31.47 |
| 100 - 248 | RMB14.945 | RMB29.89 |
| 250 - 498 | RMB13.905 | RMB27.81 |
| 500 + | RMB12.645 | RMB25.29 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-0712
- 制造商零件编号:
- BSZ037N06LS5ATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 104 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | TSDSON | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 104 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 TSDSON | ||
安装类型 贴片 | ||
Infineon OptiMOS 5 60V 功率 MOSFET 包括完美适合优化效率和功率密度解决方案,如开关模式电源中的同步整流、用于电信砖和服务器应用以及便携式充电器。仅 3.3x3.3mm2 的小尺寸结合出色的电气性能,进一步有助于在终端应用中实现最佳功率密度和形状因数改进。
单片集成肖特基式二极管
超低充电
特别适用于高性能应用
符合 RoHS 标准 - 无卤素
需要较少的并行
超低电压过冲
减少对跳闸电路的需求
超低充电
特别适用于高性能应用
符合 RoHS 标准 - 无卤素
需要较少的并行
超低电压过冲
减少对跳闸电路的需求