Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 120 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, IAUC120N06S5N017ATMA1, IAUC系列

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包装方式:
RS 库存编号:
258-0922
制造商零件编号:
IAUC120N06S5N017ATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

120A

最大漏源电压 Vd

60V

系列

IAUC

包装类型

TDSON

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

1.7mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

20 V

正向电压 Vf

0.8V

最大功耗 Pd

167W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

74nC

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

AEC-Q101

Infineon OptiMOS-5 功率晶体管是用于汽车应用的 OptiMOS 功率 MOSFET。工作温度为 175 °C。

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100% 雪崩测试