制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=120 A, 8针, TDSON, IAUC系列

RS 库存编号:: 258-0922
制造商零件编号:: IAUC120N06S5N017ATMA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=60 V, Id=120 A, 8针, TDSON, IAUC系列

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100 - 248	RMB22.305	RMB44.61
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RS 库存编号:: 258-0922
制造商零件编号:: IAUC120N06S5N017ATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	120A
	最大漏源电压 Vd	60V
	系列	IAUC
	包装类型	TDSON
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	1.7mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	74nC
	正向电压 Vf	0.8V
	最大功耗 Pd	167W
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 120A
	最大漏源电压 Vd 60V
	系列 IAUC
	包装类型 TDSON
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 1.7mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 74nC
	正向电压 Vf 0.8V
	最大功耗 Pd 167W
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IAUC120N06S5N017ATMA1

Infineon OptiMOS-5 功率晶体管是用于汽车应用的 OptiMOS 功率 MOSFET。工作温度为 175 °C。

绿色产品(符合 RoHS 标准)

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