Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=120 A, TO-263, iPB系列
- RS 库存编号:
- 258-3798
- 制造商零件编号:
- IPB120P04P404ATMA2
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
查看批量定价选项小计（1 件）*
RMB27.73
(不含税)
RMB31.33
(含税)
暂时缺货
- 2,955 件在 2026年9月14日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB27.73 |
| 10 - 99 | RMB26.92 |
| 100 - 249 | RMB25.56 |
| 250 - 499 | RMB23.76 |
| 500 + | RMB21.62 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3798
- 制造商零件编号:
- IPB120P04P404ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | iPB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 125mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 120A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 iPB | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 125mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon OptiMOS-P2 功率晶体管具有最低的切换和传导功率损耗,可实现最高热效率。坚固的封装,具有卓越的质量和可靠性。
无需充电泵,用于高侧驱动
简单的接口驱动电路
最高电流容量
相关链接
- Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 120 A, TO-263, 表面安装, iPB系列
- Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, 90 A, TO-263, 表面安装, IPB90N06S404ATMA2, iPB系列
- Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 120 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IPB120N08S404ATMA1, OptiMOS-T2系列
- Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 120 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, IPB120P04P4L03ATMA2, iPB系列
- Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, 120 A, TO-263, 表面安装, IPB120N06S403ATMA2, iPB系列
- Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 120 A, TO-263, 表面安装, IPB120N04S402ATMA1, iPB系列
- Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 120 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, iPB系列
- Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, 120 A, TO-263, 表面安装, iPB系列