Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=120 A, 3针, TO-263, iPB系列
- RS 库存编号:
- 229-1819
- 制造商零件编号:
- IPB120P04P4L03ATMA2
- 制造商:
- Infineon
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| 100 - 245 | RMB26.688 | RMB133.44 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 229-1819
- 制造商零件编号:
- IPB120P04P4L03ATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 120A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | iPB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.1mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | -1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 136W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 16V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | +175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 120A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 iPB | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.1mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf -1.3V | ||
最大功耗 Pd 136W | ||
最大栅源电压 Vgs 16V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 +175°C | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon iPB系列MOSFET,40V最大漏源电压,120A最大连续漏电流 - IPB120P04P4L03ATMA2
这款 p 通道 MOSFET 是一款表面贴装功率晶体管,专为汽车和工业环境中的高电流开关和耐热性而设计。它可在宽温度范围内工作,适用于需要强大的栅极容差和低传导损耗的应用场景。
特性和优点：
• 40V 漏源额定值可实现中等电压开关
• 120A的连续漏极电流支持重载处理
• 3.1mΩ低导通电阻，可降低负载条件下的导通损耗
• 136W 功耗,可实现持久的功率处理
• Vgs 容差高达 16V,可实现更高的栅极驱动余额
• -55°C 至 175°C 温度范围可在极端条件下保持运行
• 120A的连续漏极电流支持重载处理
• 3.1mΩ低导通电阻，可降低负载条件下的导通损耗
• 136W 功耗,可实现持久的功率处理
• Vgs 容差高达 16V,可实现更高的栅极驱动余额
• -55°C 至 175°C 温度范围可在极端条件下保持运行
应用
• 适用于高电流反向电池保护电路
• 适用于汽车配电模块
• 与电机控制器低侧或高侧配合使用
• 可用于DCDC转换器同步开关
• 适用于电动汽车的电源管理功能
• 适用于汽车配电模块
• 与电机控制器低侧或高侧配合使用
• 可用于DCDC转换器同步开关
• 适用于电动汽车的电源管理功能
它在 PCB 组装时使用什么封装?
它采用TO-263表面贴装封装,专为焊接板安装而设计。
在高负载下,它的热性能如何?
当正确冷却时,该设备可消散高达 136W 的电流,从而在高功率下延长运行时间,并提供足够的热管理。
在设计过程中,应遵守哪些门限值?
栅极-源电压不得超过 16V,以避免栅极过压。
它是否适合汽车认证要求?
它符合AEC-Q101汽车半导体认证标准。
相关链接
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