Infineon N型沟道 N型 MOSFET, Vds=700 V, 22.4 A, TO-263, 表面安装, IPB65R150CFDATMA2, iPB系列
- RS 库存编号:
- 258-3811
- 制造商零件编号:
- IPB65R150CFDATMA2
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 件）*
¥29.30
(不含税)
¥33.11
(含税)
有库存
- 2,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 1 - 9 | RMB29.30 |
| 10 - 99 | RMB26.36 |
| 100 - 249 | RMB24.28 |
| 250 - 499 | RMB21.61 |
| 500 + | RMB20.48 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3811
- 制造商零件编号:
- IPB65R150CFDATMA2
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 22.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 700V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | iPB | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 40.7mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 22.4A | ||
最大漏源电压 Vd 700V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 iPB | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 40.7mΩ | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 650V CoolMOS CFD2 是第二代市场领先的高电压 CoolMOS MOSFET,带集成快速主体二极管。CFD2 器件是 600V CFD 的继承者,具有提高的能效。更柔软的转换行为,因此更好的 EMI 行为,使该产品与竞争对手部件相比具有明显优势。
易于设计
与 600V CFD 技术相比,价格更低
低 Qoss
减少打开和转动延时时间
出色的 CoolMOS 质量