Infineon P型沟道 N型 MOSFET, Vds=30 V, 70 A, TO-252, 表面安装, IPD系列
- RS 库存编号:
- 258-3830
- 制造商零件编号:
- IPD068P03L3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 2500 件）*
¥9,635.00
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 + | RMB3.854 | RMB9,635.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3830
- 制造商零件编号:
- IPD068P03L3GATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 70A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 系列 | IPD | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3.6mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 70A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
系列 IPD | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 3.6mΩ | ||
通道模式 N | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon P 通道增强模式现场效应晶体管是高度创新的 OptiMOS 系列,包括 P 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计的关键规格中的最高质量和性能要求,如接通状态电阻和优势特性数字。
增强模式
逻辑电平
Avalanche 等级
快速切换
Dv/dt 额定值