Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=70 A, 3针, TO-252, OptiMOS P系列

RS 库存编号:: 165-6872
制造商零件编号:: IPD042P03L3GATMA1
制造商:: Infineon

Infineon P型沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=70 A, 3针, TO-252, OptiMOS P系列

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RS 库存编号:: 165-6872
制造商零件编号:: IPD042P03L3GATMA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	槽架类型	P型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	70A
	最大漏源电压 Vd	30V
	系列	OptiMOS P
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	6.8mΩ
	通道模式	增强
	正向电压 Vf	-1.1V
	最大栅源电压 Vgs	-20V, +20V
	最大功耗 Pd	150W
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	131nC
	最高工作温度	175°C
	长度	6.73mm
	宽度	5.97mm
	标准/认证	No
	高度	2.41mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Infineon
	槽架类型 P型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 70A
	最大漏源电压 Vd 30V
	系列 OptiMOS P
	包装类型 TO-252
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 6.8mΩ
	通道模式增强
	正向电压 Vf -1.1V
	最大栅源电压 Vgs -20V, +20V
	最大功耗 Pd 150W
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 131nC
	最高工作温度 175°C
	长度 6.73mm
	宽度 5.97mm
	标准/认证 No
	高度 2.41mm
	汽车标准否

COO (Country of Origin):: CN

Infineon OptiMOS P系列MOSFET，30V最大漏源电压，70A最大连续漏极电流 - IPD042P03L3GATMA1

该MOSFET是一款P沟道增强型功率晶体管，专为需要大电流处理能力和宽工作温度范围的表面贴装应用而设计。它作为高性能开关器件用于电源转换和负载控制电路，为要求严苛的电子系统提供低导通损耗和受控栅极驱动特性。

特性和优点：

• 6.8 mΩ导通电阻可最大程度减少导通损耗，从而提高效率
• 70A 持续漏极电流，支持重载开关
• 150W功耗支持持续散热处理
• 131nC 典型栅极电荷，有助于实现可预测的开关特性
• 工作温度范围为-55°C 至 175°C，允许在高温环境中部署
• VGS 额定值为±20V ，确保栅极驱动电压的灵活性

应用

• 适用于DCDC转换器的同步整流
• 适用于电源的高电流负载切换
• 与需要低导电电阻的电机驱动器配合使用
• 可用于电池管理和保护电路
• 适用于高密度表面贴装电源模块

在考虑PCB布局时，我应该预期哪种封装类型？

该器件采用TO-252表面贴装封装，具有三个引脚，可实现紧凑的电路板布局并支持散热焊盘布线。

该器件在工作期间如何处理栅极驱动电压？

最大栅源电压为±20V，因此，栅极驱动器的规格应限定在此范围内，以避免过压应力。

这款晶体管能承受的最大电压是多少？

它的额定最大漏源电压为30V，适用于低压电源系统。

导通期间的正向电压是否有任何限制？

典型正向电压为-1.1V，这会影响电路设计的导通损耗计算。