Infineon N型沟道 P型 MOSFET, Vds=100 V, 67 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IPD系列

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RS 库存编号:
258-3834
制造商零件编号:
IPD12CN10NGATMA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N型

最大连续漏极电流 Id

67A

最大漏源电压 Vd

100V

系列

IPD

包装类型

TO-252

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

12.4mΩ

通道模式

P

最大功耗 Pd

125W

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

49nC

正向电压 Vf

1V

最大栅源电压 Vgs

20 V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

175°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

Infineon OptiMOS 功率 MOSFET 提供卓越的解决方案,用于高效、高功率密度 SMPS。与下一个最佳技术相比,此系列实现了 R DS(on) 和 FOM 的 30% 减少

出色的切换性能

世界最低 R DS(on)

环保

提高效率

最高功率密度