Infineon N型沟道 MOSFET, Vds=200 V, 17 A, TO-252, 表面安装, IRFR15N20DTRPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 258-3980
- 制造商零件编号:
- IRFR15N20DTRPBF
- 制造商:
- Infineon
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥34.07
(不含税)
¥38.50
(含税)
有库存
- 5,540 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 5 | RMB6.814 | RMB34.07 |
| 10 - 95 | RMB6.61 | RMB33.05 |
| 100 - 245 | RMB6.28 | RMB31.40 |
| 250 - 495 | RMB5.84 | RMB29.20 |
| 500 + | RMB5.316 | RMB26.58 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3980
- 制造商零件编号:
- IRFR15N20DTRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 17A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 165mΩ | |
| 最大功耗 Pd | 140W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 27nC | |
| 正向电压 Vf | 1.5V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 17A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 TO-252 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 165mΩ | ||
最大功耗 Pd 140W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 27nC | ||
正向电压 Vf 1.5V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 功率 MOSFET 利用经验证的硅工艺,为设计人员提供广泛的器件组合,以支持各种应用,如直流电动机、变频器、SMPS、照明、负载开关以及电池供电应用。这些设备提供各种表面安装和通孔封装,具有工业标准印迹,易于设计。
平面电池结构,用于宽 SOA
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
增强的坚固性
多供应商兼容性
工业标准资格级别