Infineon P型沟道 MOSFET, Vds=-150 V, -13 A, TO-252, 表面安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 258-3985
- 制造商零件编号:
- IRFR6215TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3985
- 制造商零件编号:
- IRFR6215TRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -13A | |
| 最大漏源电压 Vd | -150V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 580mΩ | |
| 正向电压 Vf | -1.6V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 44nC | |
| 最大功耗 Pd | 110W | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id -13A | ||
最大漏源电压 Vd -150V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 580mΩ | ||
正向电压 Vf -1.6V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 44nC | ||
最大功耗 Pd 110W | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon HEXFET 功率 MOSFET 是来自 International Rectifier 的第五代 HEXFET,采用先进的处理技术,以实现每个硅面积的最低接通电阻。这种优势与 HEXFET 功率 MOSFET 知名的快速切换速度和坚固的设备设计结合在一起,为设计人员提供极高效的设备,适用于各种应用。D-PAK 设计用于表面安装,使用蒸汽相、红外线或波焊技术。直向引线型号适用于通孔安装应用。在典型的表面安装应用中,功耗级别可达 1.5 W。
平面电池结构,用于宽 SOA
经优化,可从分销合作伙伴获得最广泛的可用性
产品符合 JEDEC 标准
增强的坚固性
从分销合作伙伴提供广泛的可用性
工业标准资格级别