Infineon MOSFET, Vds=55 V, 5 A, SOT-223, 表面安装, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 258-3996
- 制造商零件编号:
- IRLL024ZTRPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | RMB2.273 | RMB5,682.50 |
| 5000 - 5000 | RMB2.227 | RMB5,567.50 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 258-3996
- 制造商零件编号:
- IRLL024ZTRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 5A | |
| 最大漏源电压 Vd | 55V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 5A | ||
最大漏源电压 Vd 55V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 SOT-223 | ||
安装类型 表面 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon HEXFET 功率 MOSFET 专门设计用于汽车应用,此 HEXFET 功率 MOSFET 利用最新的处理技术,以实现每硅区域极低的接通电阻。此设计的其他功能包括接点工作温度、快速切换速度和改进的重复雪崩额定值。这些功能结合在一起,使此设计成为一种非常高效可靠的设备,适用于汽车应用和其他各种应用。
先进的过程技术
超低接通电阻
逻辑电平门驱动器
150°C 工作温度
快速切换
重复雪崩,允许高达 Tjmax