Infineon 双N沟道MOSFET, Vds=25 V, Id=18 A, 8针, PG-Tison-8., BSC系列
- RS 库存编号:
- 259-1475
- 制造商零件编号:
- BSC0911NDATMA1
- 制造商:
- Infineon
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|---|---|---|
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| 50 - 495 | RMB10.122 | RMB50.61 |
| 500 - 995 | RMB9.62 | RMB48.10 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 259-1475
- 制造商零件编号:
- BSC0911NDATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | 双N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 18A | |
| 最大漏源电压 Vd | 25V | |
| 系列 | BSC | |
| 包装类型 | PG-Tison-8. | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.8mΩ | |
| 通道模式 | N | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 双N | ||
最大连续漏极电流 Id 18A | ||
最大漏源电压 Vd 25V | ||
系列 BSC | ||
包装类型 PG-Tison-8. | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.8mΩ | ||
通道模式 N | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon optimos 25V 是服务器、数据通信和电信应用中要求严苛的电压调节器解决方案的最佳选择。提供半桥配置(电源级别 5x6)。改进的 EMI 行为使外部咬接器网络过时。
超低门和输出充电
最低接通状态电阻,采用小尺寸封装
易于设计
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