Infineon N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=40 V, 20 A, TDSON-8-4, 表面安装, 8引脚, BSC076N04NDATMA1, OptiMOS-T2系列
- RS 库存编号:
- 273-2627
- 制造商零件编号:
- BSC076N04NDATMA1
- 制造商:
- Infineon
小计（1 卷，共 5000 件）*
¥24,895.00
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¥28,130.00
(含税)
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 5000 + | RMB4.979 | RMB24,895.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 273-2627
- 制造商零件编号:
- BSC076N04NDATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 20A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TDSON-8-4 | |
| 系列 | OptiMOS-T2 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 7.6mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 65W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 28nC | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 20A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TDSON-8-4 | ||
系列 OptiMOS-T2 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 7.6mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 65W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 28nC | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS, IEC61249-2-21, DIN IEC 68-1: 55/175/56 | ||
汽车标准 否 | ||
这款 Infineon MOSFET 是一种 N 沟道 40 V 功率 MOSFET。该 MOSFET 针对驱动应用进行了优化，且经过了 100% 雪崩测试。它符合 JEDEC47 20 2 的相关测试标准，适合于工业应用。
无卤
符合 RoHS 标准
无铅引线电镀
快速开关 MOSFET
卓越的耐热性