Infineon N沟道MOSFET, Vds=500 V, Id=9.9 A, TO-220, IPP系列

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包装方式：
RS 库存编号:
259-1561
制造商零件编号:
IPP50R380CEXKSA1
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

9.9A

最大漏源电压 Vd

500V

包装类型

TO-220

系列

IPP

安装类型

通孔

标准/认证

No

汽车标准

否

英飞凌 CoolMOS™ CE 系列 MOSFET，14.1A 最大持续漏极电流，98W 最大功率耗散 - IPP50R380CEXKSA1


这款 MOSFET 专为高压电源应用而设计，注重效率和可靠性。它采用 CoolMOS™ 技术，在提高开关性能的同时最大限度地降低了损耗，从而使其在各种工业应用中发挥了优势，并大大加强了能源管理。

特点和优势


• 低 Rds(on) 可减少传导损耗，从而提高效率

• 高连续漏极电流额定值可满足严格的应用要求

• 易于驱动，可简化与现有系统的集成

• 灵活的栅极阈值电压拓宽了与不同电路的兼容性

• 坚固的包装设计可确保在具有挑战性的环境中经久耐用

应用


• 适用于功率因数校正 (PFC) 阶段

• 在硬开关 PWM 阶段运行良好

• 适用于 LCD 和 PDP 电视机的谐振开关

• 有效照明 实现高效电源管理

• 用于个人电脑和自动化系统的电源中

最佳栅源电压是多少？


MOSFET 的最大栅源电压为 ±30 V，可在各种应用中优化控制。

该元件在热环境中的性能如何？


它的最大功率耗散为 98 W，可在 -55°C 至 +150°C 之间高效工作，因此适用于各种热条件。

该元件能否处理脉冲电流？


它可以管理高达 32.4A 的脉冲电流，在不影响性能的情况下，出色地支持瞬态条件。

超结技术有哪些优势？


超结技术降低了开关损耗和传导损耗，提高了整体效率，延长了应用中器件的使用寿命。

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