Nexperia N型沟道 MOSFET, Vds=50 V, 410 A, SOT, 表面安装

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RS 库存编号:
260-4740
制造商零件编号:
PSMNR90-50SLH
制造商:
Nexperia
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品牌

Nexperia

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

410A

最大漏源电压 Vd

50V

包装类型

SOT

安装类型

表面

标准/认证

No

汽车标准

COO (Country of Origin):
MY
Nexperia 逻辑电平栅极驱动 N 通道增强模式 MOSFET,采用 175 °C LFPAK88 封装。用于电池隔离和直流电动机控制系列的 ASFET 的一部分,使用 Nexperia 独特的肖特基加技术,可提供高效率和低峰值性能,通常与带集成肖特基或肖特基类型二极管的 MOSFET 相关,但无问题高泄漏电流。ASFET 特别适用于需要强大的雪崩能力、线性模式性能、在高切换频率下使用以及在高负载电流下安全可靠的切换的 36 V 电池供电应用。

超快切换,带软主体二极管恢复

非常强的线性模式