Nexperia N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=50 V, 0.41 A, LFPAK88, 表面安装, 4引脚, PSMNR90-50SLHAX
- RS 库存编号:
- 251-7923
- 制造商零件编号:
- PSMNR90-50SLHAX
- 制造商:
- Nexperia
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|---|---|---|
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- RS 库存编号:
- 251-7923
- 制造商零件编号:
- PSMNR90-50SLHAX
- 制造商:
- Nexperia
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nexperia | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 0.41A | |
| 最大漏源电压 Vd | 50V | |
| 包装类型 | LFPAK88 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.9mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 112nC | |
| 最大功耗 Pd | 375W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 8.1mm | |
| 高度 | 8.1mm | |
| 宽度 | 1.7 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Nexperia | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 0.41A | ||
最大漏源电压 Vd 50V | ||
包装类型 LFPAK88 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.9mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 112nC | ||
最大功耗 Pd 375W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 8.1mm | ||
高度 8.1mm | ||
宽度 1.7 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Nexperia 410 Amp 连续电流、逻辑电平栅极驱动器 N 沟道增强模式 MOSFET，采用 175 °C LFPAK88 封装。ASFET 的一部分，用于电池隔离和直流电动机控制系列，采用 Nexperia 独特的“SchottkyPlus”技术，提供高效率和低尖峰性能，通常与带集成肖特基或肖特基式二极管的 MOSFET 相关，但没有高漏电流问题。
铜夹和焊接芯片粘贴，实现低封装电感和电阻以及高 ID（最大）额定值
温度可达 175 °C
雪崩等级，100％ 测试
低 QG、QGD 和 QOSS，可实现高效率，尤其是在较高的开关频率下
带有软体二极管恢复的超快开关，可实现低尖峰和振铃，推荐用于低 EMI 设计
VGS（th）额定值范围小，便于并联和改善电流共享
十分强的线性模式/安全工作区特性，可在大电流条件下实现安全可靠的切换