Infineon P型沟道 MOSFET, Vds=-55 V, -42 A, TO-263, 表面安装, AUIRF4905STRL, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 260-5059
- 制造商零件编号:
- AUIRF4905STRL
- 制造商:
- Infineon
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 260-5059
- 制造商零件编号:
- AUIRF4905STRL
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -42A | |
| 最大漏源电压 Vd | -55V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 20mΩ | |
| 最大功耗 Pd | 170W | |
| 正向电压 Vf | -1.3V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 53nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 4.83 mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 高度 | 15.88mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id -42A | ||
最大漏源电压 Vd -55V | ||
包装类型 TO-263 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 20mΩ | ||
最大功耗 Pd 170W | ||
正向电压 Vf -1.3V | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 53nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 4.83 mm | ||
长度 10.67mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
高度 15.88mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Infineon P 通道 HEXFET 功率 MOSFET 专门设计用于汽车应用。此功率 MOSFET 利用最新的处理技术,以实现每个硅面积的低接通电阻。
先进的过程技术
超低接通电阻
快速切换
重复雪崩允许高达 Tjmax