Infineon N沟道MOSFET, Vds=150 V, Id=35 A, 7针, DirectFET, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 260-5939
- 制造商零件编号:
- IRF6643TRPBF
- 制造商:
- Infineon
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- RS 库存编号:
- 260-5939
- 制造商零件编号:
- IRF6643TRPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 35A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 系列 | HEXFET | |
| 包装类型 | DirectFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 7 | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 35A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
系列 HEXFET | ||
包装类型 DirectFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 7 | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 数字音频 MOSFET 专门设计用于 D 类音频放大器应用。此 MOSFET 利用最新的处理技术,以实现每个硅面积的低接通电阻。此外,对栅极充电、主体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化,以提高关键的 D 类音频放大器性能因素,如效率、THD 和 EMI。
最新 MOSFET 硅技术
兼容双面冷却
与现有的表面安装技术兼容
无铅
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