制造商编号

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=7 A, 3针, 带装和卷装

RS 库存编号:: 261-5047
制造商零件编号:: STH12N120K5-2AG
制造商:: STMicroelectronics

STMicroelectronics N沟道增强型MOSFET, Vds=1200 V, Id=7 A, 3针, 带装和卷装

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RS 库存编号:: 261-5047
制造商零件编号:: STH12N120K5-2AG
制造商:: STMicroelectronics

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	STMicroelectronics
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	7A
	最大漏源电压 Vd	1200V
	包装类型	带装和卷装
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	1.9Ω
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最低工作温度	-55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	36nC
	最高工作温度	150°C
	长度	15.8mm
	高度	4.7mm
	标准/认证	No
	宽度	10.4mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 STMicroelectronics
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 7A
	最大漏源电压 Vd 1200V
	包装类型带装和卷装
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 1.9Ω
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最低工作温度 -55°C
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 36nC
	最高工作温度 150°C
	长度 15.8mm
	高度 4.7mm
	标准/认证 No
	宽度 10.4mm
	汽车标准否

Datasheet - STH12N120K5-2AG

COO (Country of Origin):: CN

STMicroelectronics 高电压 N 通道功率 MOSFET 采用基于创新专有垂直结构的 MDmesh K5 技术设计。结果显著降低了接通电阻和超低栅极电荷,适用于需要出色的功率密度和高效率的应用。

AEC-Q101 认证

工业最低 RDS(接通) x 面积

行业最佳 FoM(优点数字)

超低门充电

100% 雪崩测试

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