Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=150 V, Id=51 A, 3针, TO-220, HEXFET系列

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包装方式：
RS 库存编号:
262-6748
Distrelec 货号:
304-41-672
制造商零件编号:
IRFB52N15DPBF
制造商:
Infineon
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品牌

Infineon

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

51A

最大漏源电压 Vd

150V

系列

HEXFET

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.3V

标准/认证

No

汽车标准

否

Infineon 功率 MOSFET 具有低门到排放电荷,可减少切换损耗。它适合与高频直流-直流转换器和等离子显示面板一起使用。

完全特性化的雪崩电压和电流

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