Infineon P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=-55 V, -11 A, TO-252, 表面安装, 3引脚, IRFR9024NTRLPBF, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 262-6770
- Distrelec 货号:
- 304-41-678
- 制造商零件编号:
- IRFR9024NTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB5.302 | RMB132.55 |
| 50 - 75 | RMB5.195 | RMB129.88 |
| 100 - 225 | RMB4.773 | RMB119.33 |
| 250 - 975 | RMB4.68 | RMB117.00 |
| 1000 + | RMB4.34 | RMB108.50 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 262-6770
- Distrelec 货号:
- 304-41-678
- 制造商零件编号:
- IRFR9024NTRLPBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | -11A | |
| 最大漏源电压 Vd | -55V | |
| 包装类型 | TO-252 | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 175mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 12.7nC | |
| 正向电压 Vf | -1.6V | |
| 最大功耗 Pd | 38W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id -11A | ||
最大漏源电压 Vd -55V | ||
包装类型 TO-252 | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 175mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12.7nC | ||
正向电压 Vf -1.6V | ||
最大功耗 Pd 38W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 功率 MOSFET 利用最新的处理技术,以实现每硅区域极低的电阻。它为设计人员提供极高效可靠的设备,适用于各种应用。
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