Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 33 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚, HEXFET系列
- RS 库存编号:
- 262-6781P
- 制造商零件编号:
- IRFU4615PBF
- 制造商:
- Infineon
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 50 - 95 | RMB8.826 |
| 100 - 245 | RMB7.948 |
| 250 - 995 | RMB7.782 |
| 1000 + | RMB7.218 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 262-6781P
- 制造商零件编号:
- IRFU4615PBF
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 33A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | IPAK | |
| 系列 | HEXFET | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 42mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 144W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 26nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 33A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 IPAK | ||
系列 HEXFET | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 42mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 144W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 26nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
Infineon 功率 MOSFET 提供优点,如增强的门、雪崩和动态 dV/dt 坚固性以及完全特性化的电容和雪崩 SOA。
增强型主体二极管 dV/dt 和 dI/dt 功能