制造商编号

ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=2.5 A, 3针, SOT-346, RQ5E025TN系列

RS 库存编号:: 264-3826
制造商零件编号:: RQ5E025TNTL
制造商:: ROHM

ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=2.5 A, 3针, SOT-346, RQ5E025TN系列

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RS 库存编号:: 264-3826
制造商零件编号:: RQ5E025TNTL
制造商:: ROHM

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	2.5A
	最大漏源电压 Vd	30V
	系列	RQ5E025TN
	包装类型	SOT-346
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	92mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	12V
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	1W
	正向电压 Vf	1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	3.3nC
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 ROHM
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 2.5A
	最大漏源电压 Vd 30V
	系列 RQ5E025TN
	包装类型 SOT-346
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 92mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 12V
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 1W
	正向电压 Vf 1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.3nC
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - RQ5E025TNTL

COO (Country of Origin):: TH

ROHM 小信号 MOSFET 是一款用于开关应用的 MOSFET，是获得 AEC-Q101 认证的汽车级高可靠性产品。它采用小型表面贴装封装和无铅电镀，符合 RoHS 标准。

低导通电阻

内置 G-S 保护二极管

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