ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=30 V, Id=4 A, 3针, SOT-346, RQ5E040TN系列

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包装方式：
RS 库存编号:
264-3829
制造商零件编号:
RQ5E040TNTL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

4A

最大漏源电压 Vd

30V

系列

RQ5E040TN

包装类型

SOT-346

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

48mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

最大栅源电压 Vgs

12V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

5.9nC

最低工作温度

-55°C

最大功耗 Pd

1W

最高工作温度

150°C

标准/认证

Pb-free lead plating, RoHS

汽车标准

否

COO (Country of Origin):
TH
ROHM 小信号 MOSFET 是一种低导通电阻 MOSFET，适用于开关，采用小型表面贴装封装。无铅电镀; 符合 RoHS 标准和 AEC-Q101 标准。

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