Microchip P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=200 V, -175 A, TO-92, 通孔安装, 3引脚, TP0620系列

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RS 库存编号:
264-8926
制造商零件编号:
TP0620N3-G
制造商:
Microchip
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品牌

Microchip

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

-175A

最大漏源电压 Vd

200V

系列

TP0620

包装类型

TO-92

安装类型

通孔

引脚数目

3

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

20 V

最大功耗 Pd

1W

最高工作温度

150°C

标准/认证

RoHS

汽车标准

Microchip P 通道低临界值、增强模式(正常关闭)MOSFET 利用垂直 DMOS 结构和经验丰富的硅门制造工艺。此组合可产生一个具有双极晶体管的功率处理能力和 MOS 器件固有的高输入阻抗和正温度系数的器件。此设备具有所有 MOS 结构的特点,无热逃生和热引起的次级破坏。垂直 DMOS FET 特别适用于各种切换和放大应用,这些应用需要非常低的临界电压、高断路电压、高输入阻抗、低输入电容和快速切换速度。

低临界值 (-2.4V 最大值)

高输入阻抗

低输入电容(85pF 典型值)

快速切换速度

低接通电阻

不会出现次级故障

低输入和输出泄漏