制造商编号

ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=13 A, 3针, TO-252, R6013VND3 NaN系列

RS 库存编号:: 265-5415
制造商零件编号:: R6013VND3TL1
制造商:: ROHM

ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=13 A, 3针, TO-252, R6013VND3 NaN系列

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100 - 245	RMB12.916	RMB64.58
250 - 995	RMB12.652	RMB63.26
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RS 库存编号:: 265-5415
制造商零件编号:: R6013VND3TL1
制造商:: ROHM

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	槽架类型	N
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	13A
	最大漏源电压 Vd	600V
	系列	R6013VND3 NaN
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.3Ω
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	131W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	21nC
	最大栅源电压 Vgs	30V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS NaN
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 ROHM
	槽架类型 N
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 13A
	最大漏源电压 Vd 600V
	系列 R6013VND3 NaN
	包装类型 TO-252
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.3Ω
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 131W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 21nC
	最大栅源电压 Vgs 30V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS NaN
	汽车标准否

Datasheet - R6013VND3TL1

ROHM 功率 MOSFET 具有低接通电阻和高功率封装，适用于切换电路、单电池应用和移动应用。

快速反向恢复时间（trr）

低接通电阻

快速切换速度

驱动电路可以变得简单化

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