制造商编号

ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=6 V, Id=50 A, 3针, TO-252, RD3P03BBH系列

RS 库存编号:: 266-3847P
制造商零件编号:: RD3P03BBHTL1
制造商:: ROHM

ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=6 V, Id=50 A, 3针, TO-252, RD3P03BBH系列

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单位	每单位
50 - 95	RMB12.672
100 - 245	RMB10.166
250 - 995	RMB9.974
1000 +	RMB6.924

* 参考价格

RS 库存编号:: 266-3847P
制造商零件编号:: RD3P03BBHTL1
制造商:: ROHM

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	ROHM
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	50A
	最大漏源电压 Vd	6V
	系列	RD3P03BBH
	包装类型	TO-252
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	23mΩ
	通道模式	增强
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最大功耗 Pd	50W
	最低工作温度	-55°C
	正向电压 Vf	1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	12.4nC
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 ROHM
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 50A
	最大漏源电压 Vd 6V
	系列 RD3P03BBH
	包装类型 TO-252
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 23mΩ
	通道模式增强
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最大功耗 Pd 50W
	最低工作温度 -55°C
	正向电压 Vf 1.2V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 12.4nC
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS
	汽车标准否

Datasheet - RD3P03BBHTL1

ROHM 功率 MOSFET 具有低接通电阻和高功率封装,适用于切换。

无铅镀层

符合 RoHS 标准

无卤素

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