Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=150 V, 33.8 A, PowerPAK 1212-8S, 表面安装, 8引脚, SISS5708DN-T1-GE3
- RS 库存编号:
- 268-8346
- 制造商零件编号:
- SISS5708DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商零件编号:
- SISS5708DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 33.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 150V | |
| 包装类型 | PowerPAK 1212-8S | |
| 安装类型 | 表面安装 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 33.8A | ||
最大漏源电压 Vd 150V | ||
包装类型 PowerPAK 1212-8S | ||
安装类型 表面安装 | ||
引脚数目 8 | ||
通道模式 增强 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay N 沟道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET 为无铅无卤素器件。适用于同步整流、电机驱动控制、电源供应等应用领域。
极低品质因数
符合 ROHS 标准
UIS 测试通过率 100%