Infineon N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 100 A, TDSON, 表面安装, 8引脚, BSC010N04LSATMA1, OptiMOS 5系列
- RS 库存编号:
- 273-2625
- 制造商零件编号:
- BSC010N04LSATMA1
- 制造商:
- Infineon
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- 制造商零件编号:
- BSC010N04LSATMA1
- 制造商:
- Infineon
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Infineon | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 100A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | TDSON | |
| 系列 | OptiMOS 5 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 139W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 95nC | |
| 正向电压 Vf | 1V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1.1mm | |
| 长度 | 6.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Infineon | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 100A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 TDSON | ||
系列 OptiMOS 5 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 139W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 95nC | ||
正向电压 Vf 1V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
高度 1.1mm | ||
长度 6.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
这款 Infineon MOSFET 是一种 N 沟道 40 V 功率 MOSFET。这种 MOSFET 针对同步整流进行了优化，由于扩大了源极互连，因此焊点可靠性更高。它通过了 JEDEC 目标应用认证。
无卤
符合 RoHS 标准
无铅引线电镀
极低导通电阻
卓越的耐热性