制造商编号

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=24 A, 3针, PG-TO-247, IPW系列

RS 库存编号:: 273-3026
制造商零件编号:: IPW65R099CFD7AXKSA1
制造商:: Infineon

Infineon N沟道增强型MOSFET, Vds=650 V, Id=24 A, 3针, PG-TO-247, IPW系列

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RS 库存编号:: 273-3026
制造商零件编号:: IPW65R099CFD7AXKSA1
制造商:: Infineon

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Infineon
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	24A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	PG-TO-247
	系列	IPW
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	99mΩ
	通道模式	增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	53nC
	最大功耗 Pd	127W
	最低工作温度	-40°C
	正向电压 Vf	1.1V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	RoHS, AECQ101
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 Infineon
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 24A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 PG-TO-247
	系列 IPW
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 99mΩ
	通道模式增强
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 53nC
	最大功耗 Pd 127W
	最低工作温度 -40°C
	正向电压 Vf 1.1V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 RoHS, AECQ101
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet - IPW65R099CFD7AXKSA1

Infineon 650V 冷 MOS N 通道汽车 SJ 功率 MOSFET,采用 TO-247 封装。它在现场具有最高可靠性,可满足汽车寿命要求。

启用更高功率密度设计

提供粒状组合

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