Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 14 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, SIHF074N65E-GE3, SIHF系列
- RS 库存编号:
- 279-9906
- 制造商零件编号:
- SIHF074N65E-GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 制造商零件编号:
- SIHF074N65E-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 14A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | SIHF | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.079Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 8nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 39W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 10.1mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 14A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 SIHF | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.079Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 8nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 39W | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 10.1mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay SIHF 系列 MOSFET,650 V 漏源电压,14 A 连续漏电流 - SIHF074N65E-GE3
这款 MOSFET 是一款高压开关晶体管,专为工业电子产品中的功率转换和控制而设计。它作为通孔 TO-220 封装的 N 通道增强设备运行,是需要稳健电压处理和简单安装的可维修组件和原型设计的实用选择。
特性和优点：
• 650 V 漏源额定值可实现高电压开关应用 • 14 A 连续漏电流支持持久负载处理 • 0.079Ω Rds(on)可减少负载下的传导损耗 • 8nC 典型栅极电荷提供可预测的开关行为 • 30 V 最大栅极-源额定值允许宽栅极驱动空间 • 39W 功耗能力可在运行期间管理热应力
应用
• 适用于高电压开关模式电源 • 特别适用于工业电机驱动前端 • 用于转换器的功率因数校正级别 • 可用于变频器和焊接电源电子设备 • 适用于实验室原型设计和通孔维修
它在运行过程中可承受的温度范围是多少?
它的特点是可在 -55°C 和高达 150°C 的最高接点温度下工作,适用于高温环境。
它使用多少安装引脚和什么封装?
它采用TO-220通孔封装,带三个引脚,可直接连接PCB或散热器。
哪些典型的动态特性会影响开关损耗?
额定栅极驱动器的典型栅极电荷为 8nC,影响开关过渡能量和驱动器尺寸。
它是否适用于汽车认证流程?
它不被指定为汽车标准部件,因此不应用于需要汽车级认证的场合。